桑德斯微电子器件(南京)有限公司
企业简介

桑德斯微电子器件(南京)有限公司 main business:电子器件 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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桑德斯微电子器件(南京)有限公司的工商信息
  • 320100400010047
  • 91320115608969194L
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(中外合资)
  • 1997年12月24日
  • 刘东伟
  • 4838.227639
  • 1997年12月24日 至 2047年12月23日
  • 南京市江宁区市场监督管理局
  • 2017年08月08日
  • 南京市江宁经济技术开发区纬七路
  • 生产、销售新型电子元器件(片式元器件、敏感元器件及传感器、频率控制与选择元件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、新型机电元件)及产品。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
桑德斯微电子器件(南京)有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN104195524B 一种气相沉积清理行星盘的系统及其清洗方法 2016.12.14 本发明公开了一种气相沉积清理行星盘的系统及其清洗方法,属于芯片工装设备领域。包括蒸发机台、冷泵、机械
2 CN104362182B 一种平面双结型稳压二极管芯片及其生产工艺 2017.04.05 本发明公开了一种平面双结型稳压二极管芯片及其生产工艺,属于电子器件制造领域。一种平面双结型稳压二极管
3 CN104215208B 一种升降式蒸发机台对中快速测试机构及其测试方法 2017.01.18 本发明公开了一种升降式蒸发机台对中快速测试机构及其测试方法,属于蒸发机台测试领域。一种升降式蒸发机台
4 CN205508830U 一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片 2016.08.24 本实用新型公开了一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片,属于半导体芯片领域。一种高HTRB的高压快恢复
5 CN205303472U 一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片 2016.06.08 本实用新型公开了一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片,属于半导体芯片领域。一种渐变电场限制环高压快
6 CN105489658A 一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片及其生产工艺 2016.04.13 本发明公开了一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片及其生产工艺,属于半导体芯片领域。一种高HTRB的高
7 CN105489639A 一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片及其生产工艺 2016.04.13 本发明公开了一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片及其生产工艺,属于半导体芯片领域。一种渐变电场限制
8 CN104362081A 一种多晶氧化铝薄膜的制备方法、铝扩散方法和器件的钝化方法 2015.02.18 本发明公开了一种多晶氧化铝薄膜的制备方法、铝扩散方法和器件的钝化方法,属于氧化铝薄膜制造领域。一种多
9 CN104362182A 一种平面双结型稳压二极管芯片及其生产工艺 2015.02.18 本发明公开了一种平面双结型稳压二极管芯片及其生产工艺,属于电子器件制造领域。一种平面双结型稳压二极管
10 CN204155940U 一种平面双结型稳压二极管芯片 2015.02.11 本实用新型公开了一种平面双结型稳压二极管芯片,属于电子器件制造领域。一种平面双结型稳压二极管芯片,包
11 CN204135933U 一种贴片二极管可靠性实验夹具 2015.02.04 本实用新型公开了一种贴片二极管可靠性实验夹具,属于电子实验工装领域。它包括底板框架、定模模块和动模模
12 CN204144270U 一种高压快恢复二极管芯片 2015.02.04 本实用新型公开了一种高压快恢复二极管芯片,属于半导体芯片领域。一种高压快恢复二极管芯片,包括芯片、N
13 CN104332503A 一种高压快恢复二极管芯片及其生产工艺 2015.02.04 本发明公开了一种高压快恢复二极管芯片及其生产工艺,属于半导体芯片领域。一种高压快恢复二极管芯片,包括
14 CN204086922U 一种离子溅射仪控制系统 2015.01.07 本实用新型公开了一种离子溅射仪控制系统,属于半导体制造设备领域。一种离子溅射仪控制系统,包括RF电源
15 CN204064284U 一种升降式蒸发机台对中快速测试机构 2014.12.31 本实用新型公开了一种升降式蒸发机台对中快速测试机构,属于蒸发机台测试领域。一种升降式蒸发机台对中快速
16 CN204067320U 一种编号贴片二极管清洗烘烤盘 2014.12.31 本实用新型公开了一种编号贴片二极管清洗烘烤盘,属于半导体生产工装领域。一种编号贴片二极管清洗烘烤盘,
17 CN204067359U 一种肖特基势垒二极管芯片 2014.12.31 本实用新型公开了一种肖特基势垒二极管芯片,属于半导体芯片制造领域。一种肖特基势垒二极管芯片,包括芯片
18 CN204045600U 一种瞬态抑制二极管 2014.12.24 本实用新型公开了一种瞬态抑制二极管,属于二极管制造领域。它包括芯片、焊片一、封装体、散热块、保护基片
19 CN204045581U 一种高温电源模块 2014.12.24 本实用新型公开了一种高温电源模块,属于半导体器件领域。一种高温电源模块,包括底板、外壳、螺钉、中心柱
20 CN104241285A 一种肖特基势垒二极管芯片及其生产工艺 2014.12.24 本发明公开了一种肖特基势垒二极管芯片及其生产工艺,属于半导体芯片制造领域。一种肖特基势垒二极管芯片,
21 CN204039497U 一种气相沉积清理行星盘的系统 2014.12.24 本实用新型公开了一种气相沉积清理行星盘的系统,属于芯片工装设备领域。包括蒸发机台、冷泵、机械泵、高压
22 CN204029796U 一种单相整流桥 2014.12.17 本实用新型公开了一种单相整流桥,属于半导体器件领域。一种单相整流桥,包括:芯片、输入端引脚一、输入端
23 CN104215208A 一种升降式蒸发机台对中快速测试机构及其测试方法 2014.12.17 本发明公开了一种升降式蒸发机台对中快速测试机构及其测试方法,属于蒸发机台测试领域。一种升降式蒸发机台
24 CN104195524A 一种气相沉积清理行星盘的系统及其清洗方法 2014.12.10 本发明公开了一种气相沉积清理行星盘的系统及其清洗方法,属于芯片工装设备领域。包括蒸发机台、冷泵、机械
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